常洛闻：中国偷韩国半导体技术？看看SAMSUNG的代工良率再说

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近期，中国外交部证实一名50多岁韩国侨民A先生，于去年年底因间谍嫌疑在中国被捕。


根据媒体信息，A某现居安徽省合肥市，在当地一家半导体企业工作，与妻子和两个女儿一起生活。其曾就职于SAMSUNG电子半导体部门担任离子注入技术员20余年，2016年移居中国，并加入中国最大的存储器制造商长鑫存储（CXMT），随后他离开长鑫存储，又在另外2家中国半导体企业任职。


2023年12月18日，合肥市国家安全局的调查人员以间谍罪名逮捕了A先生，并在当地一家酒店隔离审讯了5个多月，随后于2024年5月被检察机关移送拘留，预计于2024年11月正式受审。合肥市国家安全局怀疑，A某在长鑫存储工作期间，曾向韩国泄露长鑫存储的半导体相关资讯，A某则坚称自己在中国没有接触过任何核心半导体技术。


中国新修订的《反间谍法》于2023年7月生效，新法将间谍行为的范围从“窃取国家机密和资讯”扩大到包括转移任何与“国家安全和利益”有关的文件、资料、材料和物品，即使它们不属于国家机密范畴。


如果A某在后续审判中被判入狱，他将成为第一个因为违反中国新修《反间谍法》受到处罚的韩国人。过去在中国间谍相关犯罪的审判通常需要数年时间，具体的刑期达到3-10年或更长。


在韩国韩联社等媒体，以及韩国大学、研究机构对外国媒体的采访中，都称长鑫存储的技术落后于SAMSUNG半导体，所以向SAMSUNG泄露长鑫相关的商业机密不太可能。而A先生的被捕，与韩国检方在今年1月遭起诉的前SAMSUNG电子部长金某的事件相似，当时金某涉嫌将SAMSUNG电子内存技术泄露给长鑫而被逮捕。


类似的案件还有2023年12月，韩国检察院以涉嫌违反韩国《防止和保护工业技术泄露法》，将2两名从中国返回韩国的前SAMSUNG电子韩籍员工逮捕，指控他们涉嫌向中国厂商泄露了SAMSUNG16nm DRAM技术机密。另一起案件当中，SAMSUNG和SK海力士前高管亦遭指控，涉嫌利用窃取的SAMSUNGDRAM技术在中国建厂而被捕。


今年10月初，韩国政府还推出了最新一揽子措施，以追查和惩罚向外国厂商泄漏关键技术的行为，其中已有10起与中国有关。暗指中国的反间谍案是对韩国追随美国，配合美国技术封锁的报复行为。


SAMSUNG半导体业务难以为继




是不是报复，很难定论。但美国对中国的技术封锁效果如何，韩国企业是否从中获益，路是越走越宽，还是越来越只能“一条路走到黑”，却有比较客观的数据可以观察。


SAMSUNG电子2024年第三季度财报显示，期内实现营收79.10万亿韩元，同比增长17%、环比增长7%；经营利润9.18万亿韩元，同比增长278%、环比减少12%；净利润10.10万亿韩元，同比增长73%、环比增长3%。


继上半年大起大落，疫情期间积累的压力并没有快速消融之外，SAMSUNG本身的经营似乎也遇到了前所未有的结构性问题。从旗下具体业务看，SAMSUNG半导体业务经营利润出现了较大程度环比下滑，由于企业其他业务在当季度的环比盈利增速均低于1%，由此拖累了企业整体利润表现。


相比之下，同被称为“韩国双雄”的另一家存储巨头SK海力士，则一路高歌猛进。第三季度，SK海力士实现营收17.57万亿韩元，同比增长94%、环比增长7%；经营利润7.03万亿韩元，同比大幅扭亏（上年同期为亏损1.792万亿韩元）、环比增长29%。


两家企业整体收入有较大差异，源于SAMSUNG还有其他如显示、手机等多元业务支撑，半导体业务承压已经无法掩盖。而SK海力士得以快速成长，甚至在头部存储厂商中率先得以实现扭亏，背后是面向AI时代的技术准备和验证速度快于同业。SAMSUNG显然看到了半导体业务正面临竞争压力，近期更换了业务主管，也在积极推进向英伟达的HBM验证工作。


展望第四季度，SAMSUNG称将密切监测需求趋势，例如关注地缘政治和刺激计划等因素。加速改善业务基本面，推动旧生产线向更高节点迁移，以此增强盈利能力，并加速推动库存水平和产品组合的正常化；同时扩大HBM的产能以推进销售增长，并加速向基于32Gb DDR5的高密度服务器需求的1b纳米过渡。


SAMSUNG存储业务盈利能力下滑，难免让人联想到前不久摩根士丹利率先喊出“存储隆冬将至”的预测。这种“狼来了”虽然有些悲观，但确实有“狼”要来吃掉现有芯片巨头的利润。


“跟车”美国太紧，SAMSUNG的方向盘不好握




目前全球芯片市场的份额超过一半被美国企业占据，但美国企业芯片制造产能却只占比10%左右。这中间的巨大鸿沟是靠台积电代工来填平，比如苹果、高通、AMD、英伟达的先进芯片，全部由台积电制造，连intel的大多数芯片都外包给台积电制造。


现任拜登政府“重振芯片”的思路，和川普的“让美国再次伟大”逻辑上没有本质区别，拿出530亿美金，吸引全球的芯片企业到美国来建厂制造芯片，以提高美国的芯片产能，解决美国芯片空心化的问题，其中对韩国SAMSUNG、台湾省的台积电甚至不惜威逼利诱，将“友岸外包”变成了一条缰绳。美国国内的美光等也积极响应，拜登政府的530多亿美金中有300多亿美金发给了10多家企业，还提供了200多亿美金的税收补贴及无息（低息）贷款等给上下游企业。


可是随着拜登不再谋求连任，民主党和共和党在选战中也拉不开实质差距，这让在美国投入重金的外国芯片企业非常难受——川普曾经不止一次表示芯片法案糟糕透了，拜登是在利用纳税人的钱，向富裕的企业提供数百亿美金的补贴，这种做法吸引不到优秀的企业。川普认为，应该“取消”《芯片和科学法案》，增加关税，迫使芯片企业到美国来建厂，而不是把纳税人的钱，发给这些企业。而且应该收回已经发出的补贴和贷款，让企业真正回到“自由市场”中去公平竞争。


SAMSUNG作为拜登政府政策的得益者，现在就有“跟车太贴”的忧虑。2021年11月，SAMSUNG曾经高调宣布，在得克萨斯州泰勒投资170亿美金，建立一座先进晶圆工厂，这一工厂得到了拜登政府64亿美金的注资承诺，本计划2024年年底投产，但目前已经推迟至2026年“具备运行能力”。


泰勒工厂计划受阻的原因，是2nm良品率存在严重问题，SAMSUNG半导体9月份已决定从泰勒工厂撤出人员，这标志着其先进的代工业务遭受重大挫折。


SAMSUNG对于美国泰勒工厂的最初设想，是4nm以下先进工艺的大规模生产中心，目的是靠近主要的美国客户，为他们提供本地化的制造服务。然而，尽管工艺开发迅速，但SAMSUNG仍面临2nm良率的挑战，与其主要竞争对手台积电相比，不仅性能较低且量产能力不足，良率也更低。


SAMSUNG的代工良率目前低于50%，尤其是3nm以下的工艺，而台积电的3nm工艺良率约为60-70%。这种良率差距，将两家企业之间的市场份额差距扩大到50.8个百分点，台积电在第二季度占据了62.3%的全球代工市场，而SAMSUNG仅为11.5%。


报道称，为了解决良率问题，SAMSUNG董事长李在镕亲自拜访了ASML和Zeiss等主要设备供应商，努力寻找工艺和良率改进的突破口。尽管做出了这些努力，但并未取得重大成就，而且将人员重新部署到泰勒工厂的时间仍不确定。


相比之下，台积电位于美国亚利桑那州的第一座晶圆厂，在今年4月就已经开始基于4nm制程进行工程测试晶圆的生产，其良率已经与台积电位于中国台湾的南科厂良率相当。


而拜登政府的投资承诺，法律上是由美国商务部出面，与SAMSUNG电子签署了一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据《芯片和科学法案》向SAMSUNG电子提供总额64亿美金的直接补贴资金，以加强美国半导体供应链的弹性，推进美国的技术领导地位，并增强美国的全球竞争力。


作为协议的一部分，SAMSUNG承诺未来几年将在美国德克萨斯州投资金额，由原来的170亿美金提升至超过400亿美金，拟议的投资将把SAMSUNG在德克萨斯州的现有业务转变为一个全面的生态系统，用于在美国开发和生产尖端芯片，包括两个新的领先逻辑晶圆厂、一个研发工厂和一个位于泰勒市的先进封装工厂，以及扩建他们现有的奥斯汀工厂，预计将支撑创造超过20,000个就业机会。


现在生产方面出现严重迟滞，大选又将给《芯片和科学法案》是否存续带来巨大不确定性，64亿的承诺恐怕大概率难以全部落实，面对国内SK海力士的奋起直追，中国同行的步步紧逼，SAMSUNG半导体目前似乎也没有别的办法，只有劝自己“开弓没有回头箭”，继续在美国加大下注力度。