消息称SAMSUNG确认平泽 P4 工厂 1c nm 内存投资，目标明年六月投运

gythy1978

IT之家 8 月 12 日消息，韩国媒体 ETNews 报道称，SAMSUNG电子内部已确认在平泽 P4 工厂建设 1c nm DRAM 内存产线的投资计划，该产线目标明年 6 月投入运营。

平泽 P4 是一座综合性半导体生产中心，分为四期。在早前规划中，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。SAMSUNG已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期建设。

而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩国媒体在报道中称，SAMSUNG电子计划在今年底启动 1c nm 内存生产。


▲ SAMSUNG平泽厂区

根据IT之家此前报道，SAMSUNG电子考虑在明年下半年推出的 HBM4 内存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先进的 DRAM 制程提升 HBM4 产品的能效竞争力，追赶 HBM 领域领先者 SK 海力士。

考虑到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的消耗量远高于传统内存，平泽 P4 建设 1c nm DRAM 产线也是在为可能的 HBM4 生产需求做好准备。