SAMSUNG明确否认良率问题，称3nm工艺性能稳定且产量达标

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【ITBEAR科技资讯】7月10日消息，SAMSUNG企业昨日(7月9日)通过官方资讯稿宣布，其3nm工艺技术的良率和性能已经达到稳定水平，整个工艺项目正在按计划有序推进。这一声明正面回应了近期外界对于SAMSUNG3nm工艺良率问题的关注。

此前，有韩国媒体在6月份报道指出，SAMSUNG电子的Exynos 2500芯片目前的良率略低于20%，引发市场对于该芯片未来是否能用于Galaxy S25系列手机的疑虑。然而，SAMSUNG在最新的声明中明确否认了这些传闻，并强调其3nm工艺已经步入成熟阶段。

据ITBEAR科技资讯了解，SAMSUNG自2022年全球首次实现3nm GAA工艺的量产之后，便持续在该技术领域进行深耕。如今，其第二代3nm工艺已经实现了稳定的性能表现，并且产量也已逐步上升，步入正轨。这标志着SAMSUNG在半导体制造工艺方面取得了重要的突破。

SAMSUNG在资讯稿中进一步表示，企业正积极与设计解决方案合作伙伴(DSP)展开合作，为原型生产提供多项目晶圆(MPW)服务。这一举措旨在加强产业链协同，推动3nm工艺的广泛应用。

此外，SAMSUNG电子还透露，今年的MPW服务总数将达到32个，涵盖从生产高性能功率半导体的4纳米工艺到BCD 130纳米工艺的多个技术领域。与去年相比，这一数字增加了约10%，显示出SAMSUNG在半导体服务领域的强劲增长势头。预计到2025年，SAMSUNG的MPW服务数量将进一步增加到35个。