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发表于 2024-6-6 13:33:58 |显示全部楼层
芯智讯浪客剑

6月6日消息,ASML首席财务官Roger Dassen近日在 Jefferies证券主持的投资者电话会议上表示,ASML与台积电的商业谈判即将结束,预计在第二季度或第三季度开始获得“大量” 2nm芯片制造相关设备订单。同时,Jefferies报告称台积电已经订购了High NA EUV光刻机。

该消息推动ASML股价大涨9.52%,收盘股价1041.34美金,创下历史新高,总市值突破4096.86亿美金,成为了欧洲第二大市值的上市企业。

Jefferies的报告指出,ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年,这主要是受益于各国政府推动的芯片制造本地化策略,通过补贴当地的晶圆厂建设,以提升自身的芯片制造能力。

虽然2024年第一季度,ASML实现净销售额52.90亿欧元,同比下降21%。但是Jefferies证券认为,ASML 2024年二季度到四季度的平均订单额可能会达到57亿欧元左右,有望推动其2025年营收上探至400亿欧元。ASML此前就曾将其2025年营收目标设定在300~400亿欧元。

Jefferies证券的报告还预测,台积电预计将在2024年某个时候就会收到ASML最新的High NA EUV(高数值孔径极紫外光)光刻机。

ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽,而新的High NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管,即可以用于2nm以下的制程工艺制造,并且晶圆生产速度已经达到了每小时400至500片晶圆,是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度。不过,High NA EUV光刻机的价格也是相当的昂贵,一台要价超过3.5亿欧元。

台积电业务开发资深副总裁张晓强(Kevin Zhang)5月14日在阿姆斯特丹举行的一场会议上就曾公开表示,ASML High NA EUV订价太过高昂,台积电预计于2026年下半量产的A16(1.6nm)制程,也不一定需用到High NA EUV光刻机。他说,这要看企业能取得的最佳经济与技术平衡而定,A16制程或许会采用、但不确定。“我喜欢这项技术、但不喜欢高昂的价格。”

目前最为积极引入High NA EUV光刻机则是英特尔,其是第一家订购并完成交付安装的晶圆制造商,目前英特尔已经开始在其美国俄勒冈州最先进的技术开发基地将High NA EUV光刻机用于其Intel 18A工艺的测试,以积累相关经验,后续将会被用于Intel 14A的量产。

有报道称,ASML已接获数十台High NA EUV光刻机的订单,其中大部分被英特尔预定,此外SAMSUNG、台积电、SK海力士、美光也有订购。

对于ASML所面临的潜在竞争问题,Jefferies证券的报告称,由于技术本身和生态系统的复杂性,ASML 认为“在可预见的未来”,其在 EUV 技术领域不会面临来自中国光刻设备企业 SMEE或HW的竞争。

根据资料显示,ASML先进的标准型EUV光刻机就拥有超过10万个零件,涉及到上游5000多家供应商。这些零部件极为复杂,对误差和稳定性的要求极高,并且这些零件几乎都是定制的,90%零件都采用的是世界上最先进技术,85%的零部件是和供应链共同研发,甚至一些接口都要工程师用高精度机械进行打磨,尺寸调整次数更可能高达百万次以上。

可以说,EUV光刻机已经是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备,其中包括上万种精密零部件,而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、App、机械、图像识别等多个领域的尖端常识。目前全世界没有一家企业,甚至可以说没有一个国家可以独立完成EUV光刻机的完整制造。

相对于标准的0.33 NA(数值孔径) EUV光刻机来说,配备0.55 NA透镜的High NA EUV光刻机技术含量更高,系统设计也更为复杂。比如High NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电,从1.5兆瓦增加到2兆瓦,主要原因是因为光源问题,ASML甚至还使用液冷铜线为其供电。High NA EUV光刻机其各类组件需要250个单独的板条箱中运输,其中包括13 个大型集装箱,组装后的High-NA EUV光刻机将比双层卡车还要大。

目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻机供应商,虽然老牌的光刻机厂商——日本的尼康和佳能仍在发展光刻机业务,但是也仅止步于DUV,在EUV方面依然是无能为力。

不过,目前High NA EUV光刻机的发展已经接近当前技术的极限,下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻机理论上是可以实现,但是会面临更多更复杂的技术问题,同时成本也更为惊人。

ASML的前首席技术官Martin van den Brink就曾表示,Hyper NA可能将是最后一个NA,而且不一定能真正投入生产,这意味经过数十年的光刻技术创新,大家可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。即使Hyper NA能够实现,但是如果采用Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High NA EUV技术一样,那么经济层面几乎是不可行的。

显然,在ASML现有光刻机技术路线即将走向尽头的背景之下,对于中国厂商来说在现有技术路线对于ASML之间的差距可能将不会继续加速扩大,这有利于厂商的技术追赶。

但是在EUV技术路线发展受欧美限制,且该技术路线前景灰暗的情况下,中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随,还是考虑投入资源另辟蹊径寻找新的技术路径?比如佳能去年就推出了面向先进制程制造的纳米压印设备,但该技术路线能否成功还有待市场检验。

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