HUAWEI公开一项光刻机专利

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在半导体行业，极紫外光刻技术对于未来光刻技术乃至于先进制程有着重要意义。
随着先进制程的进一步推进，全球半导体制造龙头台积电、SAMSUNG、英特尔纷纷扩大EUV光刻机资本开支，积极扩充7nm以下先进产能。

与此同时，各大芯片设计企业，例如大家熟知的高通、英伟达、博通、联发科、AMD、苹果、海思等，都在加码先进芯片领域的资本支出。大家不妨认为，掌握EUV技术，就是掌握未来半导体先进制程的发展方向和制高点。

在这种前提下，各大芯片设计企业其实也会进行系统地研究，也会有不同程度地涉猎光刻领域。但实际上，各大企业也会在这一过程中遇到各种各样的问题，但也同样会因此积累到一些经验和专利。

　　 HUAWEI周二公布了一项新专利，展示了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》，而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。
　　专利名称：反射镜、光刻装置及其控制方法
　　专利申请号：CN202110524685.X
　　该专利提供一种光刻装置，该光刻装置通过不断改变相干光形成的干涉图样，使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化，从而达到匀光的目的，进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。
　　该光刻装置包括相干光源1、反射镜2(也可以称为去相干镜)、照明系统3。其中，反射镜2可以进行旋转；例如，可以在光刻装置中设置旋转装置，反射镜2能够在旋转装置的带动下发生旋转。在该光刻装置中，相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2的反射后，通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上，以进行光刻。
　　在光刻装置中，上述照明系统3作为重要组成部分，其主要作用是提供高均匀性照明(匀光)、控制曝光剂量和实现离轴照明等，以提高光刻分辨率和增大焦深。
　　照明系统3的匀光功能可以是通过科勒照明结构实现的。
　　该照明系统3包括视场复眼镜31(field flyeye mirror，FFM)、光阑复眼镜32(diaphragm flyeye mirror，PFM)、中继镜组33；其中，中继镜组33通常可以包括两个或者两个以上的中继镜。照明系统3通过视场复眼镜31将来自相干光源1的光束分割成多个子光束，每个子光束再经光阑复眼镜32进行照射方向和视场形状的调整，并通过中继镜组33进行视场大小和/或形状调整后，投射到掩膜版4的照明区域。
　　通过在相干光源1与照明系统3之间的光路上设置反射镜2，在此情况下，相干光源1发出的光线经旋转的反射镜2反射后相位不断发生变化，这样一来，在经反射镜2反射后的光线通过照明系统3分割为多个子光束并投射至掩膜版4上时，形成在掩膜版4的照明区域的干涉图样不断变化，从而使得照明视场在曝光时间内的累积光强均匀化，从而达到匀光的目的，进而也就解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样而无法匀光的问题。