C114门户论坛百科APPEN| 举报 切换到宽版

亚星游戏官网

 找回密码
 注册

只需一步,快速开始

短信验证,便捷登录

搜索

军衔等级:

亚星游戏官网-yaxin222  上将

注册:2004-11-12
发表于 2006-2-11 23:36:00 |显示全部楼层
据海外国媒体体报道,英特尔企业日前宣布制造出首款采用45纳米生产工艺的芯片。与65纳米工艺相比,最新的45纳米技术在晶体管密度上提高了两倍,达到10亿个,开关速度提高了20%,而功耗却降低三成。

    据悉,英特尔的45纳米工艺被命名为P1266,集成了铜互连(copperinterconnects)、低K介电系数、应变硅(strainedsilicon)和技术特性。该企业计划采用193纳米“干式(dry)”光刻扫描器——而非沉浸式(immersion)工具,来制造45纳米器件,这也超出了此前一些分析人士进行的预料。

    英特尔工程师MarkBohr称,这些晶体管只有45纳米见方,比红血球还要小1,000倍左右。“采用45纳米生产工艺后,大家可以在单位面积上放置两倍数量的晶体管,并降低能耗。毫无疑问,这项技术将大幅度提升未来产品和平台的性能。”

    英特尔还表示采用45纳米工艺,已制造出153MbitSRAM原型。该原型器件包含几个元件,其中包括SRAM阵列、PROM阵列、锁相环(PLL)、I/O、寄存器和分立测试结构。英特尔此项声明显示其45纳米工艺已经上路,预计将于2007年下半年实现量产。

举报本楼

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册 |

手机版|C114 ( 沪ICP备12002291号-1 )|联系大家 |网站地图  

GMT+8, 2024-9-22 19:22 , Processed in 0.176865 second(s), 15 queries , Gzip On.

Copyright © 1999-2023 C114 All Rights Reserved

Discuz Licensed

回顶部
XML 地图 | Sitemap 地图