“国家队”攻克光刻机，中芯国际宣布：又一高端芯片有望年底试产

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美国新规正式生效后，中芯国际的芯片生产进程成了外界最关注的问题之一。

据IT之家9月21日最新报道，在部分客户问及中芯国际N+1、N+2等先进工艺的芯片量产进展时，该司对此表示，第二代 FinFET N+1已进入客户导入阶段，预计有望在2020年底实现小批量试产。根据业界此前的说法，目前中芯国际全力“攻坚”的N+1、N+2工艺，将是对标台积电7nm芯片的重要业务。

今年3月，中芯国际正式对外界解开了其N+1、N+2工艺项目的“神秘面纱”。根据快科技的报道，中芯国际相关人士详细说明道，N+1其实是该司内部对该项目的“代称”，在性能上与台积电等推进的7nm工艺还存在一定距离，但就功耗、稳定性方面来说，N+1可以与7nm相媲美。

据此，业界认为中芯国际的N+1可以说成是“低配版”的7nm工艺，性能上类似于台积电、SAMSUNG的10nm。按照这家中国芯片制造商的想法，通过大力推进N+1项目，既可以令其暂时减轻远远落后于台积电的压力，也可以凭借“低成本”的巨大优势，率先拿下高端芯片市场的一部分份额。

要知道，自从美国发布新规之后，中芯国际就被外界视为HUAWEI“破局”的重要合作伙伴。今年年初 ，HUAWEI将14nm芯片订单交由中芯国际，而HUAWEI海思也一举成为其最大客户。9月15日当天，中芯国际也表示，该司已经向美国提交了申请，力争与HUAWEI的合作继续进行。

早在今年4月，中芯国际就完成了N+1工艺的客户先容和产品认证步骤，流片阶段也于去年年末顺利完工。至于因美国方面干预而迟迟没有“到手”的EUV光刻机，中芯国际也表示，当前正在进行的N+1和N+2项目暂且用不到这个设备。

不过，中科院日前的一则举动，无疑将进一步缓解中芯国际“没有光刻机”以及“造不出高端芯片”的困境。9月16日当天，国家队选手——中科院释放出“重要信号”，接下来将跑步入场，聚焦关键的核心技术，解决我国光刻机、高端芯片等方面的生产难题。