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发表于 2024-12-17 23:43:28 来自手机 |显示全部楼层
本帖最后由 虚拟语气 于 2024-12-18 09:06 编辑

2024 年 8 月 29 日(GLOBE NEWSWIRE)—— GaN(氮化镓)技术领域的领先创新者Finwave Semiconductor, Inc.宣布与全球领先的专业代工厂GlobalFoundries (GF)达成了一项战略技术开发和许可协议。GlobalFoundries在射频(RF)领域有着丰富的领导经验。

此次合作将 Finwave 尖端的 GaN-on-Si 技术与 GF 在美国的大批量生产能力和悠久的 RF 创新传统(包括业界领先的 RF 绝缘体上硅和硅锗解决方案)相结合。合作的重点将是优化和扩大Finwave的创新增强模式(E-mode)MISHEMT技术,并在GlobalFoundries位于佛蒙特州伯灵顿的200毫米半导体制造工厂实现量产。

Finwave 先进的 200mm GaN-on-Si E-mode MISHEMT 平台提供卓越的射频性能,在低于 5V 的电压下提供出色的增益和效率,同时确保 200mm 晶圆的高均匀性,正如 Finwave 在 CS Mantech 2024 行业会议上的最新演讲中所强调的那样。利用 Finwave 的技术,GF 全面的 90RFGaN 平台将提供高功率密度和效率,从而实现高性能、优化的设备,节省占用空间和成本。此次合作为传统 GaAs 和 Si 技术不足的应用中的高效功率放大器提供了引人注目的解决方案,包括新的更高频率的 5G FR2/FR3 频段、6G 和 mmWave 放大器以及高功率 Wi-Fi 7 系统,其中卓越的范围和效率至关重要。

Finwave Semiconductor 首席实行官 Pierre-Yves Lesaicherre 博士表示:“这项协议标志着 Finwave 的一个重要里程碑。通过利用 GlobalFoundries 广泛的制造能力并将 Finwave 的 E-mode MISHEMT 技术突破投入批量生产,大家将在应对日益苛刻的无线通信领域时释放巨大的增长机会。此次合作为进一步创新和将 RF 前端集成到单个 GaN-on-Si 设备上打开了大门。这是前所未有的,并且有可能降低成本和尺寸,而这两者对于手机来说都是至关重要的。”

GF射频业务副总裁兼总经理 Shankaran Janardhanan 表示:“由于下一代无线网络需要在更高频率下运行的设备,Finwave 的低压 GaN-on-Si 技术与 GF 的 90RFGaN 平台相结合,将成为未来手机功率放大器的重要组成部分,确保强大的性能和高功率效率。”

Finwave 的 E-mode MISHEMT 技术经过十多年的研究和创新而开发,并获得了美国能源部高级研究计划署能源项目 (ARPA-E) 通过其“为具有未开发潜力的领先能源技术播种关键进展”(SCALEUP) 计划提供的联邦资金支撑,以及来自深度技术投资者和战略合作伙伴的私人投资。

利用 GF 的大批量 CMOS 制造能力,Finwave 和 GlobalFoundries 的目标是在 2026 年上半年实现该技术的量产。

氮化镓功放功率提升5-10倍,毫米波直连卫星,可用频谱比sub6提升50倍,一代材料一代通信,手机视距内通信新纪元。

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