SAMSUNG想用第二代3nm争取英伟达：但良率仅20%远低于台积电

gythy1978

快科技5月21日消息，据媒体报道，SAMSUNG计划利用其即将推出的第二代3nm工艺技术来争夺英伟达的芯片代工订单。

但最新报告显示，SAMSUNG3nm工艺的良率仅为20%，这可能成为其竞争中的一个重大障碍。

与此形成鲜明对比的是，台积电的N3B工艺良率已接近55%，这使得台积电在先进芯片制造领域保持了其行业领导者的地位。

SAMSUNG的低良率意味着其生产成本将更高，这可能会削弱其在价格和性能方面与台积电竞争的能力。

SAMSUNG电子晶圆代工部门已经制定了“Nemo”计划，目标是在2024年赢得英伟达的3nm芯片代工订单。

然而，目前SAMSUNG代工部门尚未成立专门的组织来攻关，且良率问题仍是其面临的主要难题。

业界分析人士指出，SAMSUNG电子预计将在2024年上半年开始量产第二代3nm GAA工艺，这将是SAMSUNG缩小与台积电差距的关键。

为了提高良率，SAMSUNG晶圆代工部门正在全力以赴，并开始不惜一切代价确保技术的成功。

韩国市场分析师认为，由于地震和地缘政治等不稳定因素，2024年可能是SAMSUNG缩小与台积电差距的最佳时机。